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NE-RE04H反應離子刻蝕機主要由真空係統、氣體控製係統、RF（射頻）發生器、溫控係統等組成。RIE刻蝕係統采用平行電極電容耦合草莓视频APPIOS下载體刻蝕結構，在高頻電場作用下，刻蝕氣體被激發形成草莓视频APPIOS下载體，其中帶電離子在電場作用下加速並沿垂直方向撞擊樣品表麵，使樣品表麵發生物理刻蝕的同時，草莓视频APPIOS下载體環境中的活性基團與目標材料發生化學反應，生成易揮發的氣體化合物，這些氣體隨後被真空泵抽走，從而實現樣品表麵材料的選擇性去除，刻蝕過程持續進行，直至達到所需的深度和結構。RIE刻蝕具有高分辨率、各向異性刻蝕、高選擇性以及對樣品損傷較小的優點。其中高分辨率使其可實現納米級別的精細刻蝕，各向異性刻蝕保證刻蝕方向主要沿垂直方向，有利於形成高深寬比結構，高選擇性使得通過優化氣體組合可以控製不同材料的刻蝕速率，提高對掩膜層或其他區域的保護，較低的損傷則相較於濕法刻蝕更適用於高精度器件加工。

可刻蝕的材料範圍廣泛，包括：介電材料（SiO2、SiNx等），矽基材料（Si，a-Si，polySi），III-V材料（GaAs、InP、GaN等），類金剛石碳（DLC），有機材料（PR，PMMA，HDMS，有機膜）等。