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草莓视频APPIOS下载體刻蝕(plasma-etching)是通過草莓视频APPIOS下载體中活性粒子與材料表麵原子發生化學或物理反應,生成揮發性產物從而實現材料去除的過程。

草莓视频APPIOS下载刻蝕按反應機理類型主要分為物理、化學性刻蝕以及反應離子刻蝕三種。其中物理性刻蝕又稱為濺射刻蝕。
物理刻蝕屬於純粹的物理過程,主要通過草莓视频APPIOS下载體中的離子與物質表麵分子發生的濺射反應(sputtering reaction)來實現。高速運動的離子撞擊物質表麵分子,當碰撞傳導的能量超過原子的結合能足以使其逃逸物體表麵時,就會發生物理濺射反應。與典型的濺射技術中的能量要求相比,草莓视频APPIOS下载體中離子的能量相對較低,因此濺射反應發生率還是比較低的濺射產物非常少。
(如Ar+)對基片表麵的撞擊,以離子能量損失為代價, 將基片表麵的原子濺射出來,形成刻蝕效果。物理刻蝕速度較快,具有各向異性,但選擇性差, 刻蝕效果不理想。
化學反應刻蝕是一種或者多種反應氣體被激發成草莓视频APPIOS下载態後,所形成的活性粒子或者活性基團與被刻蝕物體進行化學反應,形成易揮發的反應產物,從而達到刻蝕效果。化學刻蝕具有高度選擇性,但不具有方向性。
典型的草莓视频APPIOS下载刻蝕反應為:
F*+Si→FSi4
反應離子刻蝕包含化學活性物質與高能離子轟擊之間的協同過程,刻蝕過程中,物理刻蝕與化學刻蝕同時發生,刻蝕速率比單一的物理或化學刻蝕速率快,由於離子轟擊是定向的,刻蝕具有各向異性特征,反應離子性刻蝕既有方向性又有選擇性。

草莓视频APPIOS下载體刻蝕往往是上述幾種反應的綜合,既包含物理刻蝕,也包括化學反應刻蝕,但氣相化學反應刻蝕起主要作用。草莓视频APPIOS下载體刻蝕可以用來去除聚合物表麵雜質,改變物體的表麵微觀形貌,從而改善聚合物表麵親水性、可印刷性、可粘合性以及上染性等等。
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